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Fallo por Cortocircuito en MOSFET — Causa Raíz y

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Revisado y editado por: Alvin Jin — Experto en IATF 16949 · Coach certificado de Product Engineering (PE) · Experto en DRBFM
Published 2026-10-25 ·  Last reviewed 2026-10-25

Diagnostique fallos por cortocircuito en MOSFET: sobretensión, ESD, fuga térmica. Análisis de los Cinco Porqués y diagrama de espina de pescado.

¿Qué es un fallo por cortocircuito en MOSFET? Un fallo por cortocircuito es el modo de fallo destructivo más común de los MOSFET de potencia. El canal drenador-fuente se convierte en una trayectoria de resistencia casi nula, el óxido de compuerta normalmente también se rompe y el dispositivo queda destruido, a menudo de forma explosiva. En accionamientos de motor, convertidores DC-DC e inversores, la causa raíz con frecuencia no es el propio MOSFET sino el circuito que lo rodea: la inductancia parásita, el diseño del accionamiento de compuerta o una revisión de diseño que no incluyó a un especialista en electrónica de potencia. Esto lo convierte en una investigación D4 de manual, donde la evidencia reside en la forma de onda de conmutación. Síntomas Resistencia drenador-fuente cercana a cero (un cortocircuito franco) Compuerta-fuente también en cortocircuito (normalmente por debajo de 100 Ω) por ruptura del óxido de compuerta Cráter o marca de quemadura en el encapsulado; decoloración localizada en la PCB Fusible fundido o protección contra sobrecorriente disparada Fallo inmediatamente al encender, o tras un periodo de funcionamiento bajo carga Firma de avalancha o de fuga térmica en el análisis de fallos Componentes afectados MOSFET de potencia (Si, SiC, GaN)...

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